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固態(tài)電解質(zhì)離子電導(dǎo)率測試系統(tǒng)

更新時(shí)間:2025-07-02瀏覽:53次

固態(tài)電池被認(rèn)為是目前潛力的研究方向,已成為目前研究熱點(diǎn)中的熱點(diǎn),但是固態(tài)所面臨的問題界面問題,材料穩(wěn)定性,離子電導(dǎo)率等成為制約固態(tài)性能提升及商業(yè)化的巨大障礙。大量的研究人員專注于開發(fā)及改進(jìn)氧化物,硫化物, 聚合物和鹵化物固態(tài)電解質(zhì)的離子電導(dǎo)率

電化學(xué)交流阻抗譜(EIS)被認(rèn)為是目前測試各類材料離子電導(dǎo)率最佳的技術(shù)手段。但準(zhǔn)確測試固態(tài)電解質(zhì)的離子電導(dǎo)率并非易事,為了理清這個(gè)關(guān)鍵問題,我們需要了解以下信息, 才能確保離子電導(dǎo)率測試準(zhǔn)確可靠








為什么固態(tài)電池中離子傳導(dǎo)如此重要? 

固態(tài)電解質(zhì)離子電導(dǎo)率測試系統(tǒng)

Fig 1. 固態(tài)電池中的界面及離子傳遞模型

Chem. Rev. 2020, 120, 14, 6878–6933



為什么測試固態(tài)離子電導(dǎo)率需要高頻?

固態(tài)電解質(zhì)離子電導(dǎo)率測試系統(tǒng)

Fig 2. 固態(tài)材料中的離子界面過程等與電容的響應(yīng)關(guān)系

Adv. Mater. 132-138, 2 (1990) No. 3


固態(tài)電解質(zhì)離子電導(dǎo)率測試系統(tǒng)

Fig 3. 固態(tài)材料的EIS響應(yīng)曲線-理想模型

Fig 3.中各元素的含義

  • 對(duì)應(yīng)的擬合電路為(RbQb)(RgbQgb)Wel

  • R 是純電阻(Resistance)

  • Q 是常相位角元件(Constant Phase Element)

  • W 是Warburg 阻抗;

  • b 指電解質(zhì)晶粒體相(bulk),

  • gb 指晶界(grain boundary)

  • el 指阻塞電極(electrode)

將Fig 2.中的對(duì)應(yīng)的電容量級(jí)帶入下列數(shù)學(xué)計(jì)算公式,即可得到EIS響應(yīng)曲線所需的頻率范圍,如10的-8次方,頻率約為10-100 MHz量級(jí)。

固態(tài)電解質(zhì)離子電導(dǎo)率測試系統(tǒng)



為什么實(shí)際固態(tài)離子測試EIS曲線會(huì)出現(xiàn)各種響應(yīng)情況?

主要有以下原因:

  • 固態(tài)電解質(zhì)的樣品前處理

  • 固態(tài)電解質(zhì)夾具

  • 設(shè)備與夾具的連接

  • 設(shè)備的高頻響應(yīng)能力

  • ……

固態(tài)電解質(zhì)離子電導(dǎo)率測試系統(tǒng)

Fig 4. 典型的固態(tài)電解質(zhì)材料的EIS響應(yīng)曲線

鋰離子固體電解質(zhì)研究中的電化學(xué)測試方法,儲(chǔ)能科學(xué)與技術(shù)

Energy Storage Materials 69 (2024) 103378

Fig 4.圖為常見的比較典型的固態(tài)電解質(zhì)EIS曲線:

  • Fig 4a為固態(tài)電解質(zhì)理論模型。

  • Fig 4b為實(shí)際測試合理結(jié)果,阻塞電極良好,受限于設(shè)備高頻能力,高頻半圓不完整。

  • Fig 4c為阻塞電極較差,阻塞電極與電解質(zhì)界面影響。

  • Fig 4d為阻塞電極良好,但受限于接線及設(shè)備高頻交流阻抗能力



結(jié)論及建議

對(duì)于固態(tài)離子電導(dǎo)率的準(zhǔn)確測試,并非易事,需要全面慎重考慮樣品制備,阻塞電極的設(shè)計(jì),設(shè)備與阻塞電極的連接方式,交流阻抗設(shè)備(EIS)的高頻能力及可靠性等。雖然市面上能夠進(jìn)行阻抗測試的設(shè)備有非常多類型,但能夠同時(shí)覆蓋高頻和低頻,并表現(xiàn)出優(yōu)異性能的設(shè)備,從硬件設(shè)計(jì)來說依然面臨巨大挑戰(zhàn)。

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